polysilicon-to-oxide selectivity

The actual yield was adjusted so that a polysilicon-to-oxide selectivity of about 8 was achieved.
Mahorowala et al., J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1064 (2002)

Cl2雰囲気、Ar+イオンスパッタによるSi/SiO2の選択比を計測
Normal incidence の場合
Ei = 50 eVで、選択比 14〜24 / Ei = 100 eVで、選択比 6〜7
入射角 55°の場合
Ei = 50 eVで、選択比 7〜8 / Ei = 100 eVで、選択比 5〜6
D. J. Oostra, R. P. van Ingen, A. Haring, A. E. de Vries, and G. N. A. van Veen, Appl. Phys. Lett. 50, 1506 (1987).