kinetic energy of sputtered Si atoms

薄膜工学／丸善 p-82

ターゲットを衝撃するイオンエネルギーにあまり依存せず、スパッタ粒子のエネルギーは１５eV付近にピークを持つ分布をしている／入射角度によってピーク位置が高エネルギー側にシフトする

薄膜作成応用ハンドブック p-307

スパッタ粒子の平均エネルギーが5〜10eVと熱的に蒸発した粒子のそれに比べ非常に大きい

Energy Distribution of Sputtered Cu Atoms, R. V. Stuart and G. K. Wehner, Journal of Applied Physics -- June 1964 -- Volume 35, Issue 6, pp. 1819-1824