表面電荷蓄積(surface charging)

（下記の続き）
http://d.hatena.ne.jp/Yugo/20040627

• 平行平板放電ではchargingの影響があまり現れない：おそらくchargingが十分進むよりも前にsurface leakage(recombination)が起こるため
• charging steady stateになるまでの時間は、高密度プラズマで数十μsec程度。
• 高密度プラズマ（電子密度：10^11〜12/cm^3）での電子フラックスは10mA/cm^2程度。→平行平板放電では電子密度は10^2オーダー程度小さいので、フラックスは0.1mA/cm^2程度と考えられる。

SiO2のchargingを考える場合：

• SiO2は層間絶縁膜として用いられるので、エッチングの終了時にはSi膜が下部に現れる。
• 従って、エッチング進展時と終了時のcharging stateは異なる。

絶縁膜エッチングの際の放電シミュレーション

• 絶縁体がある場合のPoisson's eq.の解は？
• 流入する電子／イオンはchargingに寄与する-> そのcharging state もPoisson' eq の右辺ρ/εに寄与する
• conduction currentは0
• 電極板上の変位電流は？